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Titre : | Etude des performances d’une cellule photovoltaïque à hétérojonctions |
Auteurs : | Rahmani Abderrahmane, Auteur ; Mr.BENSAAD Abdellah, Directeur de thèse ; Selmani kadda, Auteur |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Algèrie:unv saida-Dr Moulay Tahar, 2017 |
Format : | 60p. / Figures,Tableaux / 29cm. |
Accompagnement : | CD. |
Note générale : | Bibliographie |
Langues: | Français |
Catégories : | |
Résumé : |
Dans ce mémoire, nous avons présenté une étude théorique et simulation des cellules
solaires à hétérojonctions à base de silicium. Deux structures de cellules solaires à hétérojonctions de type a-Si(n)/c-Si(p) et a-Si(n)/c-Si(p)/a-Si(p) ont été simulées à l’aide du logiciel afors-Het afin de déterminer l’influence de certain paramètres de ces cellule (épaisseur et concentration du dopage) sur les performances photovoltaïques : Tension de circuit ouvert , Courant de court-circuit, Facteur de forme et le rendement de conversion . Les résultats de simulation montrent que l’épaisseur de l’émetteur doit être le plus faible possible pour obtenir des cellules solaires avec les meilleures performances. Son influence sur le courant de court-circuit et l’efficacité est grande. L’efficacité de la cellule solaire augmente avec l’épaisseur de la base c-Si(p) jusqu’à 350 μm, puis elle diminue rapidement. Le meilleur rendement de conversion est obtenu pour une valeur près de 300 μm. L’augmentation de l’épaisseur de la couche a-Si:H(p) diminue les performances de la cellule solaire. Les valeurs optimales de l’épaisseur choisie dans notre cas sont : 5nm, 300 μm et 5nm pour l’émetteur, la base et la couche a-Si:H(p). Les mêmes remarques de l’influence de la concentration du dopage du a-Si(a) sont observés avec la couche a-Si :H(p), où une amélioration des performances est observée avec l’augmentation de la concentration du dopage des deux couches pour des valeurs supérieures à 10 19 . Les performances de la cellule solaire augmentent lorsque la concentration du dopage de la base c-Si(p) augmente et la valeur optimale est choisie égale à 5x10 19 . Pour la première cellule solaire à hétérojonction type a-Si: H(n)/c-Si(p), les meilleures performances photovoltaïques ont été obtenues pour les épaisseurs de 5 nm pour la couche a- Si:H(n) et de 300 μm pour le substrat c-Si(p). Les concentrations de dopage donnant lieu aux meilleurs résultats sont : 5x10 19 pour la couche a-Si:H(n) et 1x10 16 pour le substrat de silicium c-Si:H(p). D’après les résultats de simulation, les caractéristiques de cette cellule sont : Tension de circuit ouvert égale 658.6 mV, Courant de court-circuit égal 39.39 mA, Facteur de forme est de 83.79% et le rendement de conversion égal 21.74% . Pour la seconde cellule solaire à hétérojonction type a-Si: H(n)/c-Si(p)/a-Si: H(p), les meilleures performances photovoltaïques ont été obtenues pour les épaisseurs de 5 nm pour les deux couches a-Si: H(n) et a-Si H(p), et 300 μm pour le substrat c-Si(p). Les concentrations de dopage donnant lieu aux meilleurs résultats sont : 5x10 19poula16 couche a-Si: H(n) et 1x10 pour le substrat de silicium c-Si:H(p). Les caractéristiques de cette cellule sont : Tension de circuit ouvert égale694.5 mV, Courant de court circuit égal 41.5 mA, Facteur de forme est de 83.86% et le rendement de conversion égal 24.11%. D’où, une nette amélioration des performances est obtenue avec la seconde cellule. |
Note de contenu : |
Chapitre I : Généralité sur les cellules solaires photovoltaïques
Chapitre II : Cellules solaires photovoltaïques à hétérojonction a-Si:H(n)/c-Si(p) Chapitre III : Résultats des simulations |
Exemplaires (2)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
---|---|---|---|---|---|
TECT03591 | T.EN.MS00376 | Périodique | Salle des Thèses | Electronique | Exclu du prêt |
TECT03977 | T.EN.MS00377 | Périodique | Salle des Thèses | Electronique | Disponible |
Documents numériques (1)
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