GEOTRUST SSL CERTIFICATE
Titre : | CONCEPTION D’UN MELANGEUR A FAIBLE BRUIT |
Auteurs : | Idda Abdelkrim, Auteur ; Mr. Benkaddour abdelkader, Directeur de thèse |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Algerie: univ saida - Dr.moulay tahar, 2009 |
Format : | 52p / Figure et tableaux / 29cm |
Accompagnement : | CD |
Note générale : | Bibliographie |
Langues: | Français |
Catégories : | |
Résumé : |
En conclusion à cette partie, nous avons mis en évidence, l'utilité d'un composant mélangeur surtout en métrologie, multiplications de fréquences et génération d'harmoniques.
En absence de banc de test dynamique en mode d'émission-réception nous avons revu et confirmé tous les résultats obtenus dans des travaux antérieurs par des méthodes de simulations théoriques. Nous faisons remarquer que les meilleurs mélanges (intensité du signal de sortie acceptable et faible bruit) sont obtenus pour une polarisation V=OV, et une puissance du signal de l'oscillateur local de 3V. Néanmoins nous pensons que l'élaboration d'un logiciel spécifique dans la gamme submillimétrique est indispensable pour de tels travaux bien que notre modèle réponde convenablement aux différentes variations engagées. De nouveaux domaines d'application importants, notamment les télécommunications et les télécommunications spatiales entre stations-satellites et/ou entre satellites et l'imagerie active nécessitent la mise en œuvre de mélangeurs et de détecteurs fonctionnant en ondes submillimétriques. Ces opérations de détection et de mélange sont des fonctions fondamentales en émission et en réception. Pour satisfaire à cet objectif, il a été proposé la réalisation de structures mélangeuses à diodes comportant plusieurs diodes élémentaires couplées. La conception et la réalisation de ces composants constituent en soit un autre thème de recherche complexe et étendu. Dans ce contexte, nos travaux ont eu pour objectif essentiel de définir les règles de modélisation et les critères d'usage de ces structures dans la gamme des ondes submillimétriques 10µm |
Note de contenu : |
-Introduction gènèrale
01- Contact métal-semiconducteur à diode Schottky 02- Modélisation de la diode Schottky 03- Principes et grandeurs caractéristiques des mélangeurs et simulation 04- Étude du bruit dans la diode Schottky |
Exemplaires (1)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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TECT00285 | T.EN.IN00076 | Périodique | Salle des Thèses | Electronique | Disponible |