GEOTRUST SSL CERTIFICATE
| Titre : | Calculs ab-initio des semi-conducteurs Al x Ga 1-x N |
| Auteurs : | driss khodja fatima, Directeur de thèse ; Kafi asmaa, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | univ DR taher moulay saida, 2021 |
| ISBN/ISSN/EAN : | TECT02637 |
| Format : | 114 p / ill / 29cm |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Semi-conducteurs ; optoélectronique ; thermoélectricité ; GGA-PBEsol ; FP-LAPW ; TB-mBJ. |
| Résumé : |
Nous avons effectué une étude détaillée des propriétés structurales, élastiques,
électroniques, optiques et thermoélectriques des semi-conducteurs Al x Ga 1-x N (x = 0, 0.125, 0.25, 0.375, 0.5, 0.625, 0.75, 0.875, 1) en utilisant la méthode des ondes planes linéairement augmentées avec potentiel total (FP-LAPW), dans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Les propriétés structurales et élastiques ont été calculées en utilisant l'approximation du gradient généralisé de Perdew-Burke-Ernzerhof - pour estimer l’énergie d’échange et de corrélation - pour obtenir des valeurs de la constante du réseau en bon accord avec les données expérimentales. Les paramètres élastiques calculés indiquent que les matériaux Al x Ga 1-x N sont mécaniquement stables. Les propriétés électroniques, calculées en utilisant le potentiel modifié de Becke-Johnson (mBJ), montrent que les matériaux Al x Ga 1-x N sont des semi-conducteurs à large bande interdite, variant de 2.973 eV (x = 0) à 4.939 eV (x = 1). Les propriétés optiques calculées sont la fonction diélectrique, l'indice de réfraction, la réflectivité, le coefficient d'absorption et la fonction de perte d'énergie. Compte tenu de la largeur de leur bande interdite, les matériaux Al x Ga 1-x N sont des candidats pour les applications optoélectroniques dans le domaine spectral UV-visible. L’étude des propriétés thermoélectriques montre que les matériaux Al x Ga 1-x N ont un facteur de mérite, un facteur de puissance et un coefficient de Seebeck élevés. Les valeurs élevées de la conductivité électrique et les faibles valeurs de la conductivité thermique indiquent que les matériaux Al x Ga 1-x N sont des candidats potentiels pour les applications thermoélectriques. |
| Note de contenu : |
Chapitre I : Méthodes de calcul
Chapitre II : Intérêt et présentation des matériaux Chapitre III : Résultats et discussion |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| TECT02637 | T.EN.DOC00009 | Périodique | Salle des Thèses | Electronique | Exclu du prêt |
Documents numériques (1)
 Calculs ab-initio des semi-conducteurs Al x Ga 1-x N Adobe Acrobat PDF |
