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| Titre : | Modélisation et simulation analytique des caractéristiques de sortie du transistor MOSFET |
| Auteurs : | Lamia aboura, Auteur ; Kourat Abdelkader Amine, Auteur ; Chahar Mohamed Bachir., Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Algèrie:unv saida-Dr Moulay Tahar, 2020 |
| Format : | 67 P / 29 Cm |
| Note générale : |
Chapitre 1 Etat l'art du transistor FET
CHAPITRE II : Modulisation du transistor MOSFET CHAPITRE III : simulation analytique du transistor MOSFET et application à la détection |
| Langues: | Français |
| Catégories : | |
| Résumé : |
La protection des personnes, que ce soit au niveau générale de l’environnement, au niveau
industriel ou dans un souci de sécurité civile et militaire constitue une exigence plus forte. En plusieurs systèmes ont été proposés tels que les capteurs électrochimiques, optiques. Ces dispositifs sont généralement basés sur le fonctionnement de transistor MOS, il pauvres apporter des spécificités intéressantes. Le travail que nous allons présenter dans cette contribution a pour but de faire une analyse théorique des phénomènes parasites qui influencent le comportement électriques des transistors MOSFET. Une simulation analytique des caractéristique électriques telles que le courant électrique, la transconductance, et la conductance en fonction des différents paramètres physique et même géométriques de transistor permettre ainsi de mieux comprendre son fonctionnement et surtout pour les capteurs. |
Exemplaires (1)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| TECT06228 | T.EN.MS00492 | Périodique | Salle des Thèses | Electronique | Exclu du prêt |
Documents numériques (1)
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